產(chǎn)品[
Panasonic松下HG-C1100，HG-C1200，HG-C1400
]資料
如果您對該產(chǎn)品感興趣的話,可以
產(chǎn)品名稱:
Panasonic松下HG-C1100，HG-C1200，HG-C1400
產(chǎn)品型號:
產(chǎn)品展商:
日本松下
關(guān)注指數(shù):499
產(chǎn)品文檔:
無相關(guān)文檔
Panasonic松下HG-C1100，HG-C1200，HG-C1400 搭載CMOS，高精度&小尺寸兼顧
繼承HG-C1000搭載高精度CMOS及小尺寸的特性，在此基礎(chǔ)上追加微晶石檢測專用方式，實(shí)現(xiàn)光澤表面的精準(zhǔn)檢測 Panasonic松下HG-C1100，HG-C1200，HG-C1400
Panasonic松下HG-C1100，HG-C1200，HG-C1400
的詳細(xì)介紹
Panasonic松下HG-C1100，HG-C1200，HG-C1400
搭載CMOS，高精度&小尺寸兼顧
繼承HG-C1000搭載高精度CMOS及小尺寸的特性，在此基礎(chǔ)上追加微晶石檢測專用方式，實(shí)現(xiàn)光澤表面的精準(zhǔn)檢測。
雙重模擬輸出可切換
配備模擬電流4mA～20mA輸出，模擬電壓0V～5V輸出，兩種輸出方式可切換，用戶按需選擇。(默認(rèn)：模擬電流輸出)
|
種類
|
測量中心距離200mm型
|
測量中心距離400mm型
|
型
號
|
NPN
輸出
|
HG-C1200
|
HG-C1400
|
PNP
輸出
|
HG-C1200-P
|
HG-C1400-P
|
|
符合規(guī)則
|
EMC適合指令、FDA規(guī)則
|
|
測量中心距離
|
200mm
|
400mm
|
|
測量范圍
|
±80mm
|
±200mm
|
|
重復(fù)精度
|
200μm
|
300μm(測量距離200～400mm)
800μm(測量距離400～600mm)
|
|
直線性
|
±0.2%F.S.
|
±0.2%F.S.(測量距離200～400mm)
±0.3%F.S.(測量距離400～600mm)
|
|
溫度特性
|
0.03% F.S./℃
|
|
光源
|
紅色半導(dǎo)體激光 2級[JIS/IEC/GB/FDA(注2)]
*大輸出：1mW、投光波峰波長：655nm
|
光束直徑
(注3)
|
約?300μm
|
約?500μm
|
|
電源電壓
|
12～24V DC±10% 脈動P-P10%以下
|
|
消耗電流(注4)
|
40mA以下(電源電壓24V DC時(shí))、65mA以下(電源電壓12V DC時(shí))
|
|
控制輸出
|
<NPN輸出型>
NPN開路集電極晶體管
? *大流入電流：50mA
?外加電壓：30V DC以下(控制輸出-0V之間)
? 剩余電壓：1.5V以下(流入電流50mA時(shí))
? 漏電流：0.1mA以下
<PNP輸出型>
PNP開路集電極晶體管
? *大流入電流：50mA
? 外加電壓：30V DC以下(控制輸出-+V之間)
? 剩余電壓：1.5V以下(流出電流50mA時(shí))
? 漏電流：0.1mA以下
|
|
|
輸出動作
|
入光時(shí)ON/非入光時(shí)ON 可切換
|
|
短路保護(hù)
|
配備(自動恢復(fù))
|
|
模擬輸出
|
模擬電壓輸出
|
?輸出范圍：0～5V(報(bào)警時(shí)：+5.2V)
?輸出阻抗：100Ω
|
|
模擬電流輸出(注5)
|
?輸出范圍：4～20mA(報(bào)警時(shí)：0mA)
?輸出阻抗：300Ω
|
|
反應(yīng)時(shí)間
|
1.5ms／5ms／10ms 可切換
|
|
外部輸入
|
〈NPN輸出型〉
NPN無接點(diǎn)輸入
?輸入條件
無效：+8～+V DC或開路
有效：0～+1.2V DC
?輸入阻抗：約10kΩ
<PNP輸出型>
PNP無接點(diǎn)輸入
?輸入條件
無效：0～+0.6V DC或開路
有效：+4～+V DC
? 輸入阻抗：約10kΩ
|
|
污損度
|
2
|
|
使用標(biāo)高
|
2,000m以下
|
耐
環(huán)
境
性
|
保護(hù)構(gòu)造
|
IP67(IEC)
|
使用環(huán)境
溫度
|
-10～+45℃(注意不可結(jié)露、結(jié)冰)、儲存時(shí)：-20～+60℃
|
使用環(huán)境
濕度
|
35%RH～85%RH、儲存時(shí)：35%RH～85%RH
|
使用環(huán)境
照度
|
白熾燈：受光面照度3,000 lx以下
|
|
耐振動
|
耐久10～55Hz(周期1分鐘) 雙振幅1.5mm XYZ各方向2小時(shí)
|
|
耐沖擊
|
耐久500m/s2(約50G) XYZ各方向3次
|
|
電纜
|
0.2mm2 5芯復(fù)合電纜，長2m
|
|
延長電纜
|
0.3mm2以上電纜 *多延長至全長10m
|
|
材質(zhì)
|
本體外殼：壓鑄鋁 前罩：丙烯基
|
|
重量
|
本體重量：約35g(不含電纜)，約85g(含電纜)
|
|
(注1):
|
未指定測量條件時(shí)，使用條件如下：電源電壓：24V DC 環(huán)境溫度：+20℃ 響應(yīng)時(shí)間：10ms、測量中心距離的模擬輸出值。對象物體：白色陶瓷。
|
|
(注2):
|
根據(jù)FDA規(guī)則中Laser Notice No.50規(guī)定，并以FDA為準(zhǔn)。
|
|
(注3):
|
測量中心距離的大小。按照中心光強(qiáng)度的1/e2(約13.5%)定義。
如果定義區(qū)域外有漏光，并且檢測點(diǎn)范圍有高于檢測點(diǎn)本身的強(qiáng)反射，測定結(jié)果可能會受到影響。
|
|
(注4):
|
從2016年6月生產(chǎn)的產(chǎn)品開始進(jìn)行規(guī)格變更。
2016年5月前生產(chǎn)的產(chǎn)品： 40mA以下(電源電壓24V DC時(shí))、60mA以下(電源電壓12V DC時(shí))
|
|
(注5):
|
從2016年6月生產(chǎn)的產(chǎn)品開始追加了模擬電流輸出功能。
|
|
種類
|
測量中心距離30mm型
|
測量中心距離50mm型
|
測量中心距離100mm型
|
型
號
|
NPN
輸出
|
HG-C1030
|
HG-C1050
|
HG-C1100
|
PNP
輸出
|
HG-C1030-P
|
HG-C1050-P
|
HG-C1100-P
|
|
符合規(guī)則
|
EMC適合指令、FDA規(guī)則
|
|
測量中心距離
|
30mm
|
50mm
|
100mm
|
|
測量范圍
|
±5mm
|
±15mm
|
±35mm
|
|
重復(fù)精度
|
10μm
|
30μm
|
70μm
|
|
直線性
|
±0.1% F.S.
|
|
溫度特性
|
0.03% F.S./℃
|
|
光源
|
紅色半導(dǎo)體激光 2級(JIS/IEC/GB)/Ⅱ級(FDA)(注2)
*大輸出：1mW、投光波峰波長：655nm
|
光束直徑
（注3）
|
約?50μm
|
約?70μm
|
約?120μm
|
|
電源電壓
|
12～24V DC±10% 脈動P-P10%以下
|
|
消耗電流（注4）
|
40mA以下（電源電壓24V DC時(shí)）65mA以下（電源電壓12V DC時(shí)）
|
|
控制輸出
|
|
〈NPN輸出型〉
NPN開路集電極晶體管
? *大流入電流：50mA
? 外加電壓：30V DC以下（控制輸出-0V之間）
? 剩余電壓：1.5V以下（流入電流50mA時(shí)）
? 漏電流：0.1mA以下
〈PNP輸出型〉
PNP開路集電極晶體管
? *大源電流：50mA
? 外加電壓：30V DC以下（控制輸出-＋V之間）
? 剩余電壓：1.5V以下（流出電流50mA時(shí)）
? 漏電流：0.1mA以下
|
|
輸出動作
|
入光時(shí)ON/非入光時(shí)ON 可切換
|
|
短路保護(hù)
|
配備(自動恢復(fù))
|
|
模擬輸出
|
模擬電壓輸出
|
?輸出范圍：0～5V(報(bào)警時(shí)：+5.2V)
?輸出阻抗：100Ω
|
|
模擬電流輸出(注5)
|
?輸出范圍：4～20mA(報(bào)警時(shí)：0mA)
?輸出阻抗：300Ω
|
|
反應(yīng)時(shí)間
|
1.5ms／5ms／10ms 可切換
|
|
外部輸入
|
〈NPN輸出型〉
NPN無接點(diǎn)輸入
?輸入條件
無效：＋8～＋V DC或開路
有效：0～＋1.2V DC
?輸入阻抗：約10kΩ
<PNP輸出型>
PNP無接點(diǎn)輸入
?輸入條件
無效：0～＋0.6V DC或開路
有效：＋4～＋V DC
? 輸入阻抗：約10kΩ
|
|
污損度
|
2
|
|
使用標(biāo)高
|
2,000m以下
|
|
耐環(huán)境性
|
保護(hù)構(gòu)造
|
IP67(IEC)
|
使用環(huán)境
溫度
|
－10～＋45℃（注意不可結(jié)露、結(jié)冰）、存儲時(shí)20～＋60℃
|
使用環(huán)境
濕度
|
35%RH～85%RH，存儲時(shí)：35%RH～85%RH
|
使用環(huán)境
照度
|
白熾燈：受光面照度3,000 lx以下
|
|
電纜
|
0.2mm2 5芯復(fù)合電纜，長2m
|
|
材質(zhì)
|
本體外殼：壓鑄鋁 前罩：丙烯基
|
|
重量
|
本體重量：約35g(不含電纜)，約85g(含電纜)
|
|
(注1):
|
未指定測量條件時(shí)，使用條件如下：電源電壓：24V DC 環(huán)境溫度：+20℃ 響應(yīng)時(shí)間：10ms、測量中心距離的模擬輸出值。對象物體：白色陶瓷。
|
|
(注2):
|
根據(jù)FDA規(guī)則中Laser Notice No.50規(guī)定，并以FDA為準(zhǔn)。
|
|
(注3):
|
測量中心距離的大小。按照中心光強(qiáng)度的1/e2(約13.5%)定義。
如果定義區(qū)域外有漏光，并且檢測點(diǎn)范圍有高于檢測點(diǎn)本身的強(qiáng)反射，測定結(jié)果可能會受到影響。
|
|
(注4):
|
從2016年6月生產(chǎn)的產(chǎn)品開始進(jìn)行規(guī)格變更。
2016年5月前生產(chǎn)的產(chǎn)品： 40mA以下(電源電壓24V DC時(shí))、60mA以下(電源電壓12V DC時(shí))
|
|
(注5):
|
從2016年6月生產(chǎn)的產(chǎn)品開始追加了模擬電流輸出功能。
|
|
種類
|
測量中心距離50mm型
|
型
號
|
NPN
輸出
|
HG-C1050L
|
PNP
輸出
|
HG-C1050L-P
|
|
測量中心距離
|
50mm
|
|
測量范圍
|
±4mm
|
|
重復(fù)精度
|
20μm
|
|
直線性
|
±0.3% F.S.
|
|
溫度特性
|
0.03% F.S./℃
|
|
光源
|
紅色半導(dǎo)體激光 1級(JIS/IEC/GB)
*大輸出：0.2mW、發(fā)光光束波長：655nm
|
光束直徑
（注2）
|
約?150μm
|
|
受光元件
|
CMOS圖形傳感器
|
|
電源電壓
|
12V～24V DC±10% 脈動P-P10%
|
|
消耗電流
|
40mA以下(電源電壓24V DC時(shí))、60mA以下(電源電壓12V DC時(shí))
|
|
控制輸出
|
|
〈NPN輸出型〉
NPN開路集電極晶體管
? *大流入電流：50mA
? 外加電壓：30V DC以下（控制輸出和0V之間）
? 剩余電壓：1.5V以下（流入電流50mA下）
? 漏電流：0.1mA以下
〈PNP輸出型〉
PNP開路集電極晶體管
? *大源電流：50mA
? 外加電壓：30V DC以下（控制輸出和＋V之間）
? 剩余電壓：1.5V以下（流出電流50mA下）
? 漏電流：0.1mA以下
|
|
輸出動作
|
入光時(shí)ON/非入光時(shí)ON 可切換
|
|
短路保護(hù)
|
配備(自動恢復(fù))
|
|
模擬輸出
|
電壓
|
?輸出范圍：0V~5V(報(bào)警時(shí)：+5.2V)
?輸出阻抗：100Ω
|
|
電流
|
?輸出范圍：4mA~20mA(報(bào)警時(shí)：0mA)
?負(fù)載阻抗：300Ω*大
|
|
反應(yīng)時(shí)間
|
1.5ms/5ms/10ms 可切換
|
|
外部輸入
|
〈NPN輸出型〉
NPN無接點(diǎn)輸入
?輸入條件
無效：＋8V～＋V DC或者開放
有效：0V～＋1.2V DC
?輸入阻抗：約10kΩ
<PNP輸出型>
PNP無接點(diǎn)輸入
?輸入條件
無效：0V～＋0.6V DC或者開放
有效：＋4～＋V DC
? 輸入阻抗：約10kΩ
|
|
保護(hù)構(gòu)造
|
IP67(IEC)
|
|
污染度
|
2
|
|
使用環(huán)境溫度
|
－10℃～＋45℃（注意不可結(jié)露、結(jié)冰）、存儲時(shí)：－20℃～＋60℃
|
|
使用環(huán)境濕度
|
35%RH～85%RH、存儲時(shí)：35%RH～85%RH
|
|
使用環(huán)境照度
|
白熾燈：受光面照度3,000 lx以下
|
|
使用標(biāo)高
|
2,000m以下
|
|
電纜
|
0.2mm2 5芯復(fù)合電纜長2m
|
|
材質(zhì)
|
本體外殼：鋁鑄件 前面蓋板：丙烯基
|
|
重量
|
約35g(不含電纜)、約85g(含電纜)
|
|
適用規(guī)格
|
符合EMC指令
|
|
(注1):
|
未指定測量條件時(shí)，使用條件如下：電源電壓：24V DC、環(huán)境溫度：+20℃、反應(yīng)時(shí)間：10ms、測量中心 距離的模擬輸出值。對象物體：白色陶瓷。
|
|
(注2):
|
該值為測量中心距離上的值。按照中心光強(qiáng)度的1/e2(約13.5%)定義這些值。如果定義區(qū)域外有漏光，并且 檢測點(diǎn)范圍有高于檢測點(diǎn)本身的強(qiáng)反射，檢測結(jié)果可能會受到影響。
|
|
(注3):
|
測量中心距離的大小。按照中心光強(qiáng)度的1/e2(約13.5%)定義。
如果定義區(qū)域外有漏光，并且檢測點(diǎn)范圍有高于檢測點(diǎn)本身的強(qiáng)反射，測定結(jié)果可能會受到影響。
|
